ZXMC3AMCTA

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Spécifications

Modèle de produit

ZXMC3AMCTA
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXMC3AMCTA.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Package composant fournisseur

8-DFN (3x2)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 2.5A, 10V
Puissance - Max

1.7W
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

8-WDFN Exposed Pad
Autres noms

ZXMC3AMCTADKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

33 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 10V
type de FET

N and P-Channel
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A, 2.1A 1.7W Surface Mount 8-DFN (3x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.9A, 2.1A

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ZXMC3F31DN8TA

La description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO

Fabricant: Diodes Incorporated

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