ZXMC4559DN8TC

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Spécifications

Modèle de produit

ZXMC4559DN8TC
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXMC4559DN8TC.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 4.5A, 10V
Puissance - Max

2.1W
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

ZXMC4559DN8TCDICT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1063pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 10V
type de FET

N and P-Channel
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.6A, 2.6A 2.1W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.6A, 2.6A

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Ce qui suit est des produits liés à "ZXMC4559DN8TC".

ZXMD63N02XTC

La description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP

Fabricant: Diodes Incorporated

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