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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > ZXMN6A08GTA
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1461350ZXMN6A08GTA imageDiodes Incorporated

ZXMN6A08GTA

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Spécifications
  • Modèle de produit
    ZXMN6A08GTA
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    ZXMN6A08GTA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-223
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 4.8A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-261-4, TO-261AA
  • Autres noms
    ZXMN6A08GTR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    459pF @ 40V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    5.8nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    60V
  • Description détaillée
    N-Channel 60V 3.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    3.8A (Ta)

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Expédition
Paiement
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ZXMN6A09DN8TC

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La description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
ZXMN6A09GTA

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La description: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

La description: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A08E6TC

ZXMN6A08E6TC

La description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A09KTC

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La description: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A09KQTC

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La description: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A08E6QTA

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La description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN4A06KTC

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La description: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
ZXMN6A11DN8TC

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La description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
ZXMN6A11DN8TA

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La description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
ZXMN6A08GQTA

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La description: MOSFET N-CH 60VSOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA

La description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA

La description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A09DN8TA

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La description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
ZXMN6A08GQTC

ZXMN6A08GQTC

La description: MOSFETN-CH 60VSOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A07FTC

ZXMN6A07FTC

La description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

La description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

La description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA

La description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

La description: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
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