R6030KNX

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Spécifications

Modèle de produit

R6030KNX
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

R6030KNX.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220FM
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 14.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

86W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Autres noms

R6030KNXTR
R6030KNXTR-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

13 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 30A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220FM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

30A (Tc)

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livraison
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R6030835ESYA

La description: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.

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