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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > R6030ENX
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6167736R6030ENX imageLAPIS Semiconductor

R6030ENX

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Spécifications
  • Modèle de produit
    R6030ENX
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 600V 30A TO220
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    R6030ENX.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220FM
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    40W (Tc)
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    TO-220-3 Full Pack
  • Autres noms
    R6030ENXCT
    R6030ENXCT-ND
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    17 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2100pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    85nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 30A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    30A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "R6030ENX".
R6030ENZC8

R6030ENZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6030835ESYA

R6030835ESYA

La description: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6030422PSYA

R6030422PSYA

La description: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6030622PSYA

R6030622PSYA

La description: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6030822PSYA

R6030822PSYA

La description: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6030425HSYA

R6030425HSYA

La description: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

La description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

La description: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

La description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6030825HSYA

R6030825HSYA

La description: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6030KNXC7

R6030KNXC7

La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6030435ESYA

R6030435ESYA

La description: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

La description: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6030235ESYA

R6030235ESYA

La description: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6030KNX

R6030KNX

La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6030635ESYA

R6030635ESYA

La description: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
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