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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > R6030635ESYA
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R6030635ESYA

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Spécifications
  • Modèle de produit
    R6030635ESYA
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.5V @ 800A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    600V
  • Package composant fournisseur
    DO-205AB, DO-9
  • La vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    2µs
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Température d'utilisation - Jonction
    -45°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Chassis, Stud Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    12 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 600V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    50mA @ 600V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    350A
  • Capacité à Vr, F
    -
R6030KNX

R6030KNX

La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
R6030825HSYA

R6030825HSYA

La description: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
R6030422PSYA

R6030422PSYA

La description: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
R6030225HSYA

R6030225HSYA

La description: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
R6025FNZC8

R6025FNZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
R6030222PSYA

R6030222PSYA

La description: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
R6030KNZC8

R6030KNZC8

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
R6030835ESYA

R6030835ESYA

La description: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
R6030435ESYA

R6030435ESYA

La description: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
R6030235ESYA

R6030235ESYA

La description: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
R6030625HSYA

R6030625HSYA

La description: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
R6030425HSYA

R6030425HSYA

La description: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
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R6030ENZC8

R6030ENZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
R6030822PSYA

R6030822PSYA

La description: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
R6030KNXC7

R6030KNXC7

La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
R6030622PSYA

R6030622PSYA

La description: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
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R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

La description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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R6030ENX

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La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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