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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > R6030KNZ1C9
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4133923R6030KNZ1C9 imageLAPIS Semiconductor

R6030KNZ1C9

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Spécifications
  • Modèle de produit
    R6030KNZ1C9
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    R6030KNZ1C9.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-247
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    305W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Autres noms
    R6030KNZ1C9TR
    R6030KNZ1C9TR-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    13 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2350pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 30A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-247
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    30A (Tc)

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Expédition
Paiement
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R6031425HSYA

R6031425HSYA

La description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6030822PSYA

R6030822PSYA

La description: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

La description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

La description: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6030KNX

R6030KNX

La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6030635ESYA

R6030635ESYA

La description: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

La description: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6030835ESYA

R6030835ESYA

La description: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6030ENX

R6030ENX

La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6031435ESYA

R6031435ESYA

La description: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6031225HSYA

R6031225HSYA

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

La description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6030MNX

R6030MNX

La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6030825HSYA

R6030825HSYA

La description: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6030KNXC7

R6030KNXC7

La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
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