RFN10B3STL

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Spécifications

Modèle de produit

RFN10B3STL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RFN10B3STL.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

10A
Tension - Ventilation

CPD
Séries

-
État RoHS

Digi-Reel®
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

RFN10B3STLDKR
Température d'utilisation - Jonction

30ns
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

RFN10B3STL
Description élargie

Diode Standard 350V 10A Surface Mount CPD
Configuration diode

10µA @ 350V
La description

DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
Courant - fuite, inverse à Vr

1.5V @ 10A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

350V
Capacité à Vr, F

150°C (Max)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "RFN10B3STL".

RFN1L7STE25

La description: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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