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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > RQ3E070BNTB
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RQ3E070BNTB

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RQ3E070BNTB
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.RQ3E070BNTB.pdf
    2.RQ3E070BNTB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-HSMT (3.2x3)
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    27 mOhm @ 7A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2W (Ta)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    8-PowerVDFN
  • Autres noms
    RQ3E070BNTBCT
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    40 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    410pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    8.9nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    7A (Ta)

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Expédition
Paiement
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Fabricant: LAPIS Semiconductor
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Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RQ3E180GNTB

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La description: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RQ3G100GNTB

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La description: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RQ3E130BNTB

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Fabricant: LAPIS Semiconductor
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Fabricant: LAPIS Semiconductor
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Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RQ3E100MNTB1

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La description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RQ3E150MNTB1

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La description: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RQ3E075ATTB

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La description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E120GNTB

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La description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E150BNTB

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Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E180AJTB

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La description: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
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