RQ3E160ADTB

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Spécifications

Modèle de produit

RQ3E160ADTB
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.RQ3E160ADTB.pdf
2.RQ3E160ADTB.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-HSMT (3.2x3)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerVDFN
Autres noms

RQ3E160ADTBTR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2550pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 16A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

16A (Ta)

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livraison
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RQ3E150GNTB

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Fabricant: LAPIS Semiconductor

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