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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > RQ3E180AJTB
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RQ3E180AJTB

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RQ3E180AJTB
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.RQ3E180AJTB.pdf
    2.RQ3E180AJTB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 11mA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-HSMT (3.2x3)
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    2W (Ta), 30W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-PowerVDFN
  • Autres noms
    RQ3E180AJTBTR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    40 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    4290pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    39nC @ 4.5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    2.5V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    18A (Ta), 30A (Tc)

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RQ3E100MNTB1

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