RQ3E120BNTB

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Spécifications

Modèle de produit

RQ3E120BNTB
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.RQ3E120BNTB.pdf
2.RQ3E120BNTB.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-HSMT (3.2x3)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2W (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-PowerVDFN
Autres noms

RQ3E120BNTBCT
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Ta)

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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Fabricant: LAPIS Semiconductor

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