RQ3L050GNTB

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Spécifications

Modèle de produit

RQ3L050GNTB
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.RQ3L050GNTB.pdf
2.RQ3L050GNTB.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-HSMT (3.2x3)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

61 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

14.8W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-PowerVDFN
Autres noms

RQ3L050GNTBCT
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 12A (Tc) 14.8W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "RQ3L050GNTB".

RQ3E130BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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