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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > RS1E350BNTB
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3097523RS1E350BNTB imageLAPIS Semiconductor

RS1E350BNTB

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RS1E350BNTB
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.RS1E350BNTB.pdf
    2.RS1E350BNTB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-HSOP
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7 mOhm @ 35A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    35W (Tc)
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    8-PowerTDFN
  • Autres noms
    RS1E350BNTBDKR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    7900pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    185nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 35A (Ta) 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    35A (Ta)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "RS1E350BNTB".
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

La description: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1G

RS1G

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
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