Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT44GA60B
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
5145492APT44GA60B imageMicrosemi

APT44GA60B

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    APT44GA60B
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 600V 78A 337W TO-247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    600V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 26A
  • Condition de test
    400V, 26A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    16ns/84ns
  • énergie de commutation
    409µJ (on), 258µJ (off)
  • Package composant fournisseur
    TO-247 [B]
  • Séries
    POWER MOS 8™
  • Puissance - Max
    337W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    PT
  • gate charge
    128nC
  • Description détaillée
    IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    130A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    78A
APT44F80B2

APT44F80B2

La description: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
APT42F50B

APT42F50B

La description: MOSFET N-CH 500V 42A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT43M60L

APT43M60L

La description: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Fabricant: Microsemi
En stock
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricant: Microsemi
En stock
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

La description: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Fabricant: Microsemi
En stock
APT45GP120BG

APT45GP120BG

La description: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

La description: IGBT 600V 78A 337W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT43GA90BD30

APT43GA90BD30

La description: IGBT 900V 78A 337W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

La description: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT44F80L

APT44F80L

La description: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Fabricant: Microsemi
En stock
APT43GA90B

APT43GA90B

La description: IGBT 900V 78A 337W TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT45GR65B

APT45GR65B

La description: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT43F60B2

APT43F60B2

La description: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricant: Microsemi
En stock
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricant: Microsemi
En stock
APT42F50S

APT42F50S

La description: MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
APT43F60L

APT43F60L

La description: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Fabricant: Microsemi
En stock
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

La description: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT45GP120J

APT45GP120J

La description: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT43M60B2

APT43M60B2

La description: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter