APT45GR65BSCD10

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Spécifications

Modèle de produit

APT45GR65BSCD10
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A
Condition de test

433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

15ns/100ns
Package composant fournisseur

TO-247
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

80ns
Puissance - Max

543W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-247-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

NPT
gate charge

203nC
Description détaillée

IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

224A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

118A

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Ce qui suit est des produits liés à "APT45GR65BSCD10".

APT47N65SCS3G

La description: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Fabricant: Microsemi

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