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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT45GR65BSCD10
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APT45GR65BSCD10

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT45GR65BSCD10
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    650V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 45A
  • Condition de test
    433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    15ns/100ns
  • Package composant fournisseur
    TO-247
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    80ns
  • Puissance - Max
    543W
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    NPT
  • gate charge
    203nC
  • Description détaillée
    IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    224A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    118A

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "APT45GR65BSCD10".
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

La description: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

La description: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT45M100J

APT45M100J

La description: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

La description: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

La description: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

La description: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

La description: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT45GP120BG

APT45GP120BG

La description: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT44F80L

APT44F80L

La description: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT47F60J

APT47F60J

La description: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

La description: IGBT 600V 78A 337W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT44GA60B

APT44GA60B

La description: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

La description: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

La description: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT47M60J

APT47M60J

La description: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT45GR65B

APT45GR65B

La description: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT45GP120J

APT45GP120J

La description: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

La description: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
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