APT45GP120JDQ2

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Spécifications

Modèle de produit

APT45GP120JDQ2
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 1200V 75A 329W SOT227
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT45GP120JDQ2.pdf
2.APT45GP120JDQ2.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A
Package composant fournisseur

ISOTOP®
Séries

POWER MOS 7®
Puissance - Max

329W
Package / Boîte

ISOTOP
Autres noms

APT45GP120JDQ2MI
APT45GP120JDQ2MI-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

4nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

PT
Description détaillée

IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

750µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

75A
Configuration

Single

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livraison
Mode de paiement

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "APT45GP120JDQ2".

APT45GR65SSCD10

La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricant: Microsemi

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