APT45GP120BG

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Spécifications

Modèle de produit

APT45GP120BG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 1200V 100A 625W TO247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT45GP120BG.pdf
2.APT45GP120BG.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A
Condition de test

600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

18ns/102ns
énergie de commutation

900µJ (on), 904µJ (off)
Package composant fournisseur

TO-247 [B]
Séries

POWER MOS 7®
Puissance - Max

625W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

APT45GP120BGMI
APT45GP120BGMI-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

PT
gate charge

185nC
Description détaillée

IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

170A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APT45GP120BG".

APT45GR65B

La description: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Fabricant: Microsemi

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