APT47N60BC3G

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Spécifications

Modèle de produit

APT47N60BC3G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT47N60BC3G.pdf
2.APT47N60BC3G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2.7mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247 [B]
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)

417W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

APT47N60BC3GMI
APT47N60BC3GMI-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7015pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

47A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "APT47N60BC3G".

APT47GA60JD40

La description: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Fabricant: Microsemi Corporation

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