APT47GA60JD40

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Spécifications

Modèle de produit

APT47GA60JD40
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 600V 87A 283W SOT-227
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT47GA60JD40.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

87A
Tension - Ventilation

ISOTOP®
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

PT
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600V
Séries

POWER MOS 8™
Puissance - Max

283W
Polarisation

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance

Standard
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

APT47GA60JD40
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

2.5V @ 15V, 47A
Contribution

6.32nF @ 25V
Description élargie

IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP®
La description

IGBT 600V 87A 283W SOT-227
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

275µA
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

No
Finition des contacts

Single

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APT47GA60JD40".

APT45GR65B

La description: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Fabricant: Microsemi

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