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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N5615US
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N5615US.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

800mV @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

200V
Package composant fournisseur

D-5A
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/429
Temps de recouvrement inverse (trr)

150ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SQ-MELF, A
Autres noms

1086-15221
1086-15221-MIL
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 200°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 200V 1A Surface Mount D-5A
Courant - fuite, inverse à Vr

500µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

-

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JAN1N5620

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation

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