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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JAN1N5618
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JAN1N5618

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Spécifications
  • Modèle de produit
    JAN1N5618
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JAN1N5618.pdf
  • Tension - Inverse de crête (max)
    Standard
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1A
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • État RoHS
    Bulk
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Résistance @ Si, F
    -
  • Polarisation
    A, Axial
  • Autres noms
    1086-2108
    1086-2108-MIL
  • Température d'utilisation - Jonction
    2µs
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Référence fabricant
    JAN1N5618
  • Description élargie
    Diode Standard 600V 1A Through Hole
  • Configuration diode
    500nA @ 600V
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1.3V @ 3A
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    600V
  • Capacité à Vr, F
    -65°C ~ 200°C

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Expédition
Paiement
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JAN1N5621

JAN1N5621

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

La description: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N5612

JAN1N5612

La description: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
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