JAN1N5618US

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N5618US
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N5618US.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.3V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

D-5A
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/429
Temps de recouvrement inverse (trr)

2µs
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SQ-MELF, A
Autres noms

1086-2109
1086-2109-MIL
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 200°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A
Courant - fuite, inverse à Vr

500nA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

-

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JAN1N5623US

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Fabricant: Microsemi

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