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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JAN1N5622US
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JAN1N5622US

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Spécifications
  • Modèle de produit
    JAN1N5622US
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JAN1N5622US.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.3V @ 3A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    1000V
  • Package composant fournisseur
    D-5A
  • La vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    2µs
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    SQ-MELF, A
  • Autres noms
    1086-2115
    1086-2115-MIL
  • Température d'utilisation - Jonction
    -65°C ~ 200°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 1000V 1A Surface Mount D-5A
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    500nA @ 1000V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    1A
  • Capacité à Vr, F
    -

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Paiement
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JAN1N5621

JAN1N5621

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N5644A

JAN1N5644A

La description: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5642A

JAN1N5642A

La description: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5639A

JAN1N5639A

La description: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N5632A

JAN1N5632A

La description: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

La description: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5635A

JAN1N5635A

La description: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5637A

JAN1N5637A

La description: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5640A

JAN1N5640A

La description: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5623US

JAN1N5623US

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
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RFQ
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