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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > RS1DLHRTG
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4328772RS1DLHRTG imageTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DLHRTG

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RS1DLHRTG
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RS1DLHRTG.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.3V @ 800mA
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    200V
  • Package composant fournisseur
    Sub SMA
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    150ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-219AB
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    21 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 200V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    800mA
  • Capacité à Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "RS1DLHRTG".
RS1E130GNTB

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Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1DL RVG

RS1DL RVG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
RS1E150GNTB

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La description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1DLHMQG

RS1DLHMQG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1DLHMHG

RS1DLHMHG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
RS1E170GNTB

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La description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RS1E180BNTB

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La description: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RS1DLHM2G

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La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
RS1DL RUG

RS1DL RUG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Fabricant: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
En stock
RFQ
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