Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > RS1DLWHRVG
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
5561296RS1DLWHRVG imageTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DLWHRVG

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
3000+
$0.068
6000+
$0.059
15000+
$0.05
30000+
$0.047
75000+
$0.044
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    RS1DLWHRVG
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RS1DLWHRVG.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.3V @ 1A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    200V
  • Package composant fournisseur
    SOD123W
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    150ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOD-123W
  • Autres noms
    RS1DLWHRVGTR
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 175°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    12 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount SOD123W
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 200V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    1A
  • Capacité à Vr, F
    -

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip annonce 500 licenciements, avec des coûts de res...

2024/12/4

Quanta: La demande d'IA continue d'être forte, ave...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung réduit considérablement l'utilisation de la p...

2024/12/2

Vishay investira 51 millions de livres sterling dans le NWF...

2024/11/29

La menace tarifaire de Trump, Nvidia, les fournisseurs d...

2024/11/28

Intel recevra 7,86 milliards de dollars de subventions en v...

2024/11/27
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "RS1DLWHRVG".
RS1DLHMQG

RS1DLHMQG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Fabricant: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
En stock
RFQ
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

La description: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousNouvellesSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.