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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > RS1E150GNTB

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RS1E150GNTB image

LAPIS Semiconductor

RS1E150GNTB

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Spécifications

Modèle de produit

RS1E150GNTB
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.RS1E150GNTB.pdf
2.RS1E150GNTB.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-HSOP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3W (Ta), 22.9W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

RS1E150GNTBTR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 15A (Ta) 3W (Ta), 22.9W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

15A (Ta)

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Expédition

Paiement

Ce qui suit est des produits liés à "RS1E150GNTB".

RS1DLHRHG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

En stock

RS1E240GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor

En stock

RS1E170GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor

En stock

RS1DTR

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Fabricant: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

En stock

RS1E300GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor

En stock

RS1E200GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor

En stock

RS1E240BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor

En stock

RS1DLHRVG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

En stock

RS1DLHRTG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

En stock

RS1DLHRQG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

En stock

RS1DLWHRVG

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

En stock

RS1E130GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor

En stock

RS1E180BNTB

La description: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor

En stock

RS1DLHRFG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

En stock

RS1E280BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor

En stock

RS1E280GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor

En stock

RS1DLW RVG

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

En stock

RS1E200BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor

En stock

RS1E320GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor

En stock

RS1DLHRUG

La description: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

En stock

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