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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > RS1E130GNTB

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RS1E130GNTB image

LAPIS Semiconductor

RS1E130GNTB

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Spécifications

Modèle de produit

RS1E130GNTB
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.RS1E130GNTB.pdf
2.RS1E130GNTB.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-HSOP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.7 mOhm @ 13A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3W (Ta), 22.2W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

RS1E130GNTBCT
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.9nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 13A (Ta) 3W (Ta), 22.2W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

13A (Ta)

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Paiement

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