DMJ70H1D3SH3

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Spécifications

Modèle de produit

DMJ70H1D3SH3
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMJ70H1D3SH3.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-251
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

41W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Autres noms

DMJ70H1D3SH3-ND
DMJ70H1D3SH3DI
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

351pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

13.9nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

700V
Description détaillée

N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4.6A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "DMJ70H1D3SH3".

DMJ2833-000

La description: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Fabricant: Skyworks Solutions, Inc.

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