DMJT9435-13

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Spécifications

Modèle de produit

DMJT9435-13
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMJT9435-13.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

550mV @ 300mA, 3A
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

SOT-223
Séries

-
Puissance - Max

1.2W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

160MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 3A 160MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

125 @ 800mA, 1V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

3A

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Ce qui suit est des produits liés à "DMJT9435-13".

2SC3668-Y,T2WNLF(J

La description: TRANS NPN 2A 50V SC71

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

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