DMJ70H600SH3

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Spécifications

Modèle de produit

DMJ70H600SH3
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMJ70H600SH3.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-251
Séries

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

113W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3, IPak, Short Leads
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

643pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

18.2nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

700V
Description détaillée

N-Channel 700V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

11A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "DMJ70H600SH3".

DMJ70H601SV3

La description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Fabricant: Diodes Incorporated

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