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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMJ70H1D3SI3
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4260528DMJ70H1D3SI3 imageDiodes Incorporated

DMJ70H1D3SI3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMJ70H1D3SI3
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMJ70H1D3SI3.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-251
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    41W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Autres noms
    DMJ70H1D3SI3-ND
    DMJ70H1D3SI3DI
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    7 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    351pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    13.9nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    700V
  • Description détaillée
    N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    4.6A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMJ70H1D3SI3".
DMJ2833-000

DMJ2833-000

La description: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Fabricant: Skyworks Solutions, Inc.
En stock
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

La description: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

La description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

La description: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

La description: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
IRF7490PBF

IRF7490PBF

La description: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IRL8113STRLPBF

IRL8113STRLPBF

La description: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

La description: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
R6020ENX

R6020ENX

La description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
IRLH6224TR2PBF

IRLH6224TR2PBF

La description: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

La description: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
FQB5N20LTM

FQB5N20LTM

La description: MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

La description: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

La description: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
SPD18P06PGBTMA1

SPD18P06PGBTMA1

La description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

La description: MOSFET N-CH TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

La description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

La description: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

La description: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
IXTT30N50P

IXTT30N50P

La description: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

Fabricant: IXYS Corporation
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RFQ
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