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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMJ70H900HJ3
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6851335

DMJ70H900HJ3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMJ70H900HJ3
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMJ70H900HJ3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-251
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    900 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    68W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Délai de livraison standard du fabricant
    11 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    603pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    18.4nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    700V
  • Description détaillée
    N-Channel 700V 7A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-251
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    7A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMJ70H900HJ3".
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

La description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
FDT86246L

FDT86246L

La description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

La description: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

La description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

La description: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Fabricant: Skyworks Solutions, Inc.
En stock
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

La description: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
BSS123 E6433

BSS123 E6433

La description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IRF2804STRL7PP

IRF2804STRL7PP

La description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

La description: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZDX080N50

ZDX080N50

La description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
CPC3960ZTR

CPC3960ZTR

La description: MOSFET N-CH 600V SOT-223

Fabricant: IXYS Integrated Circuits Division
En stock
RFQ
FDMB506P

FDMB506P

La description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
SIR874DP-T1-GE3

SIR874DP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

La description: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

La description: MOSFET N-CH TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

La description: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

La description: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

La description: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN63D1L-7

DMN63D1L-7

La description: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

La description: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
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