APT100GN120JDQ4

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Spécifications

Modèle de produit

APT100GN120JDQ4
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 1200V 153A 446W SOT227
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A
Package composant fournisseur

ISOTOP®
Séries

-
Puissance - Max

446W
Package / Boîte

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 153A 446W Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

200µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

153A
Configuration

Single

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APT100GN120JDQ4".

APT100F50J

La description: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Fabricant: Microsemi

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