APT100GT120JR

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Spécifications

Modèle de produit

APT100GT120JR
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 1200V 123A 570W SOT227
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT100GT120JR.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A
Package composant fournisseur

ISOTOP®
Séries

Thunderbolt IGBT®
Puissance - Max

570W
Package / Boîte

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

6.7nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

NPT
Description détaillée

IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

123A
Configuration

Single

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APT100GT120JR".

APT100GF60JU2

La description: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Fabricant: Microsemi

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