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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT100GN60LDQ4G
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922388APT100GN60LDQ4G imageMicrosemi

APT100GN60LDQ4G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT100GN60LDQ4G
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 600V 229A 625W TO264
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.APT100GN60LDQ4G.pdf
    2.APT100GN60LDQ4G.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    600V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 100A
  • Condition de test
    400V, 100A, 1 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    31ns/310ns
  • énergie de commutation
    4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
  • Package composant fournisseur
    TO-264 [L]
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    625W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-264-3, TO-264AA
  • Autres noms
    APT100GN60LDQ4GMI
    APT100GN60LDQ4GMI-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    Trench Field Stop
  • gate charge
    600nC
  • Description détaillée
    IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L]
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    300A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    229A

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "APT100GN60LDQ4G".
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

La description: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT120JR

APT100GT120JR

La description: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

La description: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

La description: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

La description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100F50J

APT100F50J

La description: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

La description: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

La description: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100DL60BG

APT100DL60BG

La description: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

La description: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

La description: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

La description: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

La description: MOD DIODE 600V SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

La description: POWER MODULE - IGBT

Fabricant: Microsemi
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RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

La description: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

La description: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

La description: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GN120J

APT100GN120J

La description: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Fabricant: Microsemi
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RFQ
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

La description: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Fabricant: Microsemi
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RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

La description: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Fabricant: Microsemi
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