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APT100GN60B2G

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Spécifications

Modèle de produit

APT100GN60B2G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 600V 229A 625W TMAX
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT100GN60B2G.pdf
2.APT100GN60B2G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 100A
Condition de test

400V, 100A, 1 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

31ns/310ns
énergie de commutation

4.7mJ (on), 2.675mJ (off)
Séries

-
Puissance - Max

625W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

600nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

300A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

229A

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Ce qui suit est des produits liés à "APT100GN60B2G".

APT100GT120JU3

La description: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Fabricant: Microsemi

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