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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APT100M50J
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2141490APT100M50J imageMicrosemi

APT100M50J

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT100M50J
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.APT100M50J.pdf
    2.APT100M50J.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-227
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    38 mOhm @ 75A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    960W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Autres noms
    APT100M50JMI
    APT100M50JMI-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    17 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    24600pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    620nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    500V
  • Description détaillée
    N-Channel 500V 103A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    103A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "APT100M50J".
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

La description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

La description: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT120JR

APT100GT120JR

La description: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

La description: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

La description: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

La description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

La description: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

La description: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

La description: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

La description: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

La description: IGBT 600V 183A 780W TO264

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

La description: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

La description: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

La description: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

La description: IGBT 600V 183A 780W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

La description: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

La description: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

La description: IGBT 600V 229A 625W TO264

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

La description: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

La description: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
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