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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - tableaux > APT10SCD65KCT
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APT10SCD65KCT

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT10SCD65KCT
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE SILICON 650V 17A TO220
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    APT10SCD65KCT.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.8V @ 10A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    650V
  • Package composant fournisseur
    TO-220
  • La vitesse
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    0ns
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Silicon Carbide Schottky
  • Configuration diode
    1 Pair Common Cathode
  • Description détaillée
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220-3
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    200µA @ 650V
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    17A

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "APT10SCD65KCT".
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

La description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

La description: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

La description: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

La description: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

La description: IGBT 600V 41A 187W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

La description: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

La description: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

La description: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

La description: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

La description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

La description: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

La description: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

La description: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

La description: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT12031JFLL

APT12031JFLL

La description: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

La description: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

La description: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
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