APT10M07JVR

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Spécifications

Modèle de produit

APT10M07JVR
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT10M07JVR.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 5mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

ISOTOP®
Séries

POWER MOS V®
Dissipation de puissance (max)

700W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

21600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

1050nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 225A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

225A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "APT10M07JVR".

APT102GA60B2

La description: IGBT 600V 183A 780W TO247

Fabricant: Microsemi

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