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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APT10M11JVRU3
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1325095APT10M11JVRU3 imageMicrosemi

APT10M11JVRU3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT10M11JVRU3
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.APT10M11JVRU3.pdf
    2.APT10M11JVRU3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-227
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 71A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    450W (Tc)
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Autres noms
    APT10M11JVRU3MI
    APT10M11JVRU3MI-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    8600pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 142A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    142A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "APT10M11JVRU3".
APT10SCD120K

APT10SCD120K

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

La description: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

La description: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

La description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

La description: IGBT 600V 41A 187W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

La description: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

La description: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

La description: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

La description: IGBT 600V 183A 780W TO264

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

La description: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

La description: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

La description: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

La description: IGBT 600V 183A 780W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

La description: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

La description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

La description: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

La description: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

La description: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
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