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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - tableaux > APT100S20LCTG
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5103347APT100S20LCTG imageMicrosemi

APT100S20LCTG

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT100S20LCTG
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    950mV @ 100A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    200V
  • Package composant fournisseur
    TO-264 [L]
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    70ns
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-264-3, TO-264AA
  • Autres noms
    APT100S20LCTGMI
    APT100S20LCTGMI-ND
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    26 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Schottky
  • Configuration diode
    1 Pair Common Cathode
  • Description détaillée
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 120A Through Hole TO-264-3, TO-264AA
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    2mA @ 200V
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    120A
APT102GA60B2

APT102GA60B2

La description: IGBT 600V 183A 780W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

La description: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT102GA60L

APT102GA60L

La description: IGBT 600V 183A 780W TO264

Fabricant: Microsemi
En stock
APT100S20BG

APT100S20BG

La description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

La description: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
APT100GT120JR

APT100GT120JR

La description: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

La description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT10M11JVR

APT10M11JVR

La description: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
APT100GT60JR

APT100GT60JR

La description: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

La description: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

La description: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

La description: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

La description: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

La description: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Fabricant: Microsemi
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APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

La description: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

La description: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Fabricant: Microsemi
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APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

La description: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Fabricant: Microsemi
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APT100M50J

APT100M50J

La description: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Fabricant: Microsemi
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APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

La description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT10M07JVR

APT10M07JVR

La description: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock

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