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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT102GA60L
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71843APT102GA60L imageMicrosemi

APT102GA60L

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT102GA60L
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 600V 183A 780W TO264
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    APT102GA60L.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    600V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 62A
  • Condition de test
    400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    28ns/212ns
  • énergie de commutation
    1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
  • Package composant fournisseur
    TO-264 [L]
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    780W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-264-3, TO-264AA
  • Autres noms
    APT102GA60LMI
    APT102GA60LMI-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    26 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    PT
  • gate charge
    294nC
  • Description détaillée
    IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L]
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    307A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    183A

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "APT102GA60L".
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

La description: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

La description: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

La description: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

La description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

La description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

La description: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

La description: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

La description: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

La description: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

La description: IGBT 600V 183A 780W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

La description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

La description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

La description: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

La description: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

La description: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

La description: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

La description: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

La description: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
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