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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APT106N60B2C6
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1016080APT106N60B2C6 imageMicrosemi

APT106N60B2C6

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT106N60B2C6
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    APT106N60B2C6.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 3.4mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    T-MAX™ [B2]
  • Séries
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 53A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    833W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3 Variant
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    18 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    8390pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    308nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 106A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    106A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "APT106N60B2C6".
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

La description: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

La description: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

La description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

La description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

La description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

La description: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

La description: IGBT 600V 183A 780W TO264

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

La description: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

La description: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

La description: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

La description: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

La description: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

La description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

La description: IGBT 600V 183A 780W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

La description: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

La description: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

La description: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
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